Перейти к содержимому



Полупроводники




Полупроводники

Продолжаем дальше разъяснять читаемые на непонятном языке лекции по-русски (поскольку у вас будет куча вопросов в личке ввиду растеряности, поясняю на рисунке)

1) Структура диода. Сам диод был изобретён в 1873 учёным Ф.Гутри, запатентовал же в 1880 Т.Эдисон; само же слово "диод" произошло от греческих слов "di" (т.к. имеет 2 контакта) и "odos" (т.к. проводит только в 1 сторону). Проводимости только в 1 сторону добиваются при помощи p-n перехода, т.е. на явлении рассеивания носителей заряда; таким образом "p" является акцептором и "n" является донором, поэтому диод и пропускает ток только от "р"-области к "n"-области.
*[P-positive, N-negative], отсюда Philips маркирует диоды как "1Nххх(х)"

2) Структура NPN транзистора (2Nxxxx). Транзистор был изобретён в 1928 Лилиенфельдом и запатентован в 1934 О.Хейлом. Различаются на кремниевые(КТ), германиевые(ГТ и МП) и арсенид-галлиевые(КП). Само название происходит от английских слов "Transfer" и "Resist", т.к. проводимость от верхней N-области до нижней N-области (т.е. перенос электронов) происходит при появлении сигнала на P-области.

3) Структура PNP транзистора. Проводимость от нижней Р-области до верхней Р-области (т.е. перенос электронов) происходит при появлении сигнала на N-области.

4) Структура тиристора. В отличии от транзистора, имеет только 2 устойчивых состояния, т.е. отключение происходит путём понижения подаваемого на анод напряжения. Самое широкое применение тиристоры получили в сварочных аппаратах и троллейбусах.

5) Симистор и его структура. Отличается от тиристора способностью проводить ток в обе стороны. Самое широкое применение имеет в осветительных консолях уличных фонарей и стробоскопах; чаще всего имеет номенклатуру "BT" или "BTA".

6-8) Эквивалентные схемы перечисленных выше полупроводников.

9-11) Номенклатура полупроводников. Отметим, силовые полупроводники имеют номенклатуру SM(x), где х-сам полупроводник (SMD - диод, SMT - тиристор).

12) Операционные усилители. Основным предназначением является усиление сигнала, широкое применение имеют в микропроцессорной технике.

13) Токовое зеркало или токовый генератор, принципиальная схема. В идеальном случае с возрастанием сопротивления возрастает и мощность, на практике же данные характеристике ограничиваются источником питания.

14) Составной транзистор или транзистор Дарлингтона или "быстродействующий транзистор".
В отличии от обычного, имеет высокий коэффициент усиления, что позволяет проводить ток от верхенего перехода к нижнему при незначительном сигнале на затворе.


    • 0